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化学所在绝缘基底上可控制备单层石墨烯薄膜方面取得新进展

化学所在绝缘基底上可控制备单层石墨烯薄膜方面取得新进展

2019-08-26|编辑:liu|【】【】【】)是生长大面积高质量石墨烯的有效方法之一。 在石墨烯的生长过程中,需要使用金属催化剂,石墨烯需要转移才能构筑电学器件,与当前的半导体加工工艺不兼容,同时转移会造成石墨烯的褶皱、破损和降低其电学性能。

如能在绝缘衬底上实现石墨烯的无金属催化生长,那就不需要转移可直接构筑电学器件。 但是,不同于多数金属基底上的自限制生长方式,石墨烯在绝缘基底上的生长常常会伴随有生长速度慢与重复成核等缺点,因而会形成均匀性差并具有不确定层数的石墨烯膜。 因此,在绝缘基底上直接制备大面积均匀单层石墨烯薄膜,对其实现与半导体行业对接和加速石墨烯工业化应用进程具有深远影响。 可控制备石墨烯研究,并取得了系列进展(,1231;,4,1800572;,91,112-118;SmallMethods2019,石墨烯薄膜生长示意图及其场效应晶体管性能表征月日。

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